一種(zhǒng)由物(wù)理方法(fǎ)產生薄(báo)膜(mó)材(cái)料的技(jì)術(shù)。在真空(kōng)室內材料的(dí)原(yuán)子從加(jiā)熱(rè)源離析出來(lái)打(dǎ)到(dào)被(bèi)鍍物體的(dí)表(biǎo)麵上(shàng)。此項技術(shù)zui先用(yòng)於(yú)生(shēng)產光學鏡片，如航海(hǎi)望遠(yuǎn)鏡鏡片等。後延伸到(dào)其(qí)他功能薄膜，唱(chàng)片鍍鋁(lǚ)，裝飾(shì)鍍膜(mó)和材(cái)料表(biǎo)麵改性等。如手表外殼鍍(dù)仿金(jīn)色，機械(xiè)刀(dāo)具(jù)鍍膜(mó)，改變(biàn)加(jiā)工紅硬性。

在真(zhēn)空中(zhōng)製(zhì)備膜層，包括鍍製(zhì)晶(jīng)態的(dí)金(jīn)屬，半導體，絕緣(yuán)體等單質或化(huà)合物(wù)膜。雖然化學汽(qì)相沉積也(yě)采用(yòng)減(jiǎn)壓(yā)，低(dī)壓或等(děng)離子(zǐ)體等真空手段，但(dàn)一(yī)般真空鍍(dù)膜(mó)是指(zhǐ)用物理(lǐ)的方法沉(chén)積(jī)薄(báo)膜。真(zhēn)空鍍膜有三(sān)種形(xíng)式，即蒸發鍍膜，濺射鍍(dù)膜(mó)和離子鍍。

真空鍍(dù)膜技術(shù)初現於(yú)20世紀(jì)30年(nián)代(dài)，四五十年(nián)代(dài)開始(shǐ)出(chū)現(xiàn)工(gōng)業應(yīng)用，工業(yè)化大規模生(shēng)產開(kāi)始於20世紀(jì)80年代，在(zài)電(diàn)子，宇(yǔ)航(háng)，包(bāo)裝，裝潢(huáng)，燙(tàng)金印(yìn)刷等(děng)工業(yè)中取得廣泛的應(yīng)用。真空(kōng)鍍(dù)膜是指(zhǐ)在(zài)真(zhēn)空(kōng)環境下(xià)，將(jiāng)某(mǒu)種金屬或金屬化(huà)合(hé)物以(yǐ)氣相的(dí)形式沉積(jī)到(dào)材料表(biǎo)麵(miàn)（通常是(shì)非金屬(shǔ)材料），屬(shǔ)於物(wù)理氣相沉(chén)積工藝。因為(wéi)鍍(dù)層(céng)常為(wéi)金屬薄(báo)膜，故(gù)也稱真(zhēn)空金(jīn)屬(shǔ)化。廣(guǎng)義(yì)的(dí)真(zhēn)空鍍膜還(huán)包(bāo)括在金屬或(huò)非金(jīn)屬材料(liào)表(biǎo)麵真(zhēn)空蒸鍍聚(jù)合(hé)物等非金(jīn)屬(shǔ)功(gōng)能性薄(báo)膜(mó)。在所有被(bèi)鍍(dù)材料中，以(yǐ)塑料zui為常見(jiàn)，其(qí)次，為紙(zhǐ)張(zhāng)鍍膜。

戈(gē)勒(lè)自動(dòng)化清(qīng)潔除(chú)塵(chén)，廣泛(fàn)應用於產品(pǐn)鍍(dù)膜(mó)，PCB電子，吸(xī)塑(sù)托盤，背(bèi)光(guāng)膜，汽車車燈，汽(qì)車飾件(jiàn)，噴塗(tú)前(qián)處(chǔ)理(lǐ)，電子(zǐ)元(yuán)器(qì)件(jiàn)，模具(jù)加工(gōng)，紙(zhǐ)張印刷(shuā)，注(zhù)塑模(mó)具(jù)等製造業(yè)領(lǐng)域。

  戈勒自(zì)動(dòng)化清潔除(chú)塵係統是(shì)物(wù)理(lǐ)非接(jiē)觸(chù)除塵除(chú)靜(jìng)電(diàn)的一(yī)種(zhǒng)*方(fāng)式(shì)，是(shì)現有(yǒu)的離子風(fēng)機(jī)，等*的(dí)。360度**清潔(jié)。

  在某(mǒu)些(xiē)場合還要優(yōu)於(yú)基(jī)於化(huà)學(xué)溶(róng)劑(jì)的(dí)清(qīng)洗(xǐ)清潔方式，例(lì)如(rú)，超(chāo)聲(shēng)波(bō)清洗等(děng)。

     戈勒(lè)自動化清潔除塵係(xì)統(tǒng)：節(jié)省人力(lì)物力；降(jiàng)低生產成(chéng)本(běn)；提(tí)高產品質量；增(zēng)加生產(chǎn)效率；解決(jué)生(shēng)產(chǎn)清潔(jié)難(nán)題(tí)，戈勒自(zì)動(dòng)化清潔(jié)除塵(chén)係統一種高(gāo)效的(dí)自(zì)動(dòng)除塵

清(qīng)潔(jié)解決(jué)方(fāng)案。已成功為(wéi)APPLE，富(fù)士康，海(hǎi)拉，TCL，索菲(fēi)瑪，赫(hè)比等企業提(tí)供滿意的自動(dòng)化清潔(jié)除(chú)塵解決(jué)方案。

通過(guò)加熱蒸(zhēng)發某種(zhǒng)物(wù)質使其沉積(jī)在固(gù)體表麵(miàn)，稱為(wéi)蒸發(fā)鍍膜(mó)。這種方(fāng)法(fǎ)zui早由M.法拉第於(yú)1857年提(tí)出，現代已(yǐ)成(chéng)為常用鍍膜技(jì)術之一。蒸發(fā)鍍膜設備結(jié)構如(rú)圖(tú)1。

蒸(zhēng)發(fā)物質(zhì)如金(jīn)屬，化合物(wù)等置(zhì)於坩堝(guō)內或掛在熱絲上(shàng)作為(wéi)蒸發源，待鍍(dù)工(gōng)件(jiàn)，如金屬，陶(táo)瓷，塑(sù)料等(děng)基片置於坩(gān)堝(guō)前方。待(dài)係統(tǒng)抽至高真(zhēn)空後，加熱坩堝(guō)使(shǐ)其(qí)中的(dí)物質蒸發。蒸發(fā)物(wù)質的原子(zǐ)或分子(zǐ)以冷(lěng)凝方式(shì)沉(chén)積在基(jī)片表麵。薄(báo)膜厚度可(kě)由(yóu)數百(bǎi)埃至數(shù)微(wēi)米。膜(mó)厚決(jué)定(dìng)於蒸發源的蒸發(fā)速(sù)率(shuài)和時間（或(huò)決定(dìng)於裝料(liào)量(liáng)），並(bìng)與(yǔ)源和(hé)基(jī)片的(dí)距(jù)離有關。對(duì)於大(dà)麵積鍍膜(mó)，常(cháng)采用(yòng)旋轉基片或多蒸發源(yuán)的方式以保證(zhèng)膜層厚度(dù)的均匀(yún)性。從(cóng)蒸發源到基(jī)片的距離(lí)應小於(yú)蒸氣(qì)分(fēn)子(zǐ)在(zài)殘餘(yú)氣(qì)體中的(dí)平(píng)均自由程(chéng)，以(yǐ)免蒸(zhēng)氣分(fēn)子與殘(cán)氣分(fēn)子碰撞引(yǐn)起(qǐ)化(huà)學作(zuò)用。蒸氣分子平(píng)均動(dòng)能(néng)約(yuē)為(wéi)0.1～0.2電子伏(fú)。

用高(gāo)能粒子轟(hōng)擊(jī)固體表麵(miàn)時能使(shǐ)固體(tǐ)表麵的(dí)粒子獲得能(néng)量並(bìng)逸出表(biǎo)麵，沉積在(zài)基(jī)片(piàn)上。濺(jiàn)射現象(xiàng)於1870年(nián)開始(shǐ)用於鍍(dù)膜技術(shù)，1930年以後(hòu)由(yóu)於(yú)提(tí)高(gāo)了(liǎo)沉(chén)積(jī)速(sù)率而逐漸用於工業生產。常用(yòng)的(dí)二極濺射設(shè)備

通(tōng)常將欲(yù)沉積的(dí)材料製成板材──靶(bǎ),固定(dìng)在陰極上。基片置於(yú)正對(duì)靶麵的陽(yáng)極上(shàng),距靶幾(jī)厘米(mǐ)。係統抽至(zhì)高真空(kōng)後充入 10～1帕的氣體(tǐ)（通常為氬(yà)氣(qì)），在陰極和陽極間(jiān)加幾千伏(fú)電(diàn)壓(yā)，兩(liǎng)極間即產(chǎn)生(shēng)輝光放電(diàn)。放(fàng)電(diàn)產生的正離子在(zài)電場作用下飛向陰極(jí)，與(yǔ)靶(bǎ)表麵原子(zǐ)碰撞，受碰撞從(cóng)靶麵(miàn)逸(yì)出(chū)的靶原子(zǐ)稱(chēng)為濺射原子,其能量在(zài)1至(zhì)幾十(shí)電子伏範(fàn)圍(wéi)。濺射原子(zǐ)在基(jī)片表(biǎo)麵沉(chén)積成(chéng)膜。與(yǔ)蒸(zhēng)發鍍膜不同(tóng)，濺射(shè)鍍(dù)膜(mó)不受膜(mó)材熔點(diǎn)的限(xiàn)製,可(kě)濺射(shè)W，Ta，C，Mo，WC，TiC等難熔物質(zhì)。濺射化合(hé)物(wù)膜可用反(fǎn)應(yīng)濺(jiàn)射(shè)法(fǎ)，即(jí)將(jiāng)反(fǎn)應(yīng)氣體 (O，N，HS，CH等)加入Ar氣中,反應(yīng)氣(qì)體(tǐ)及其離子(zǐ)與(yǔ)靶原子或(huò)濺(jiàn)射原子(zǐ)發生(shēng)反(fǎn)應生(shēng)成化(huà)合物（如氧化(huà)物(wù)，氮(dàn)化(huà)物等(děng)）而沉積在基片上。沉積絕緣膜(mó)可(kě)采(cǎi)用(yòng)高頻濺射(shè)法(fǎ)。基片(piàn)裝(zhuāng)在接(jiē)地(dì)的(dí)電(diàn)極上(shàng)，絕(jué)緣靶(bǎ)裝在(zài)對(duì)麵的電(diàn)極(jí)上。高(gāo)頻電(diàn)源一端(duān)接地，一(yī)端通(tōng)過匹(pǐ)配網絡和隔直流電(diàn)容(róng)接到裝(zhuāng)有絕(jué)緣靶的電(diàn)極(jí)上(shàng)。接(jiē)通(tōng)高(gāo)頻電(diàn)源後，高頻電壓(yā)不斷改(gǎi)變(biàn)極(jí)性。等離子(zǐ)體中(zhōng)的電(diàn)子(zǐ)和(hé)正離(lí)子(zǐ)在(zài)電(diàn)壓(yā)的(dí)正(zhèng)半周和負半(bàn)周(zhōu)分別打到(dào)絕緣靶(bǎ)上。由於電(diàn)子遷移(yí)率高於(yú)正離子，絕緣靶(bǎ)表(biǎo)麵帶負(fù)電，在達到(dào)動(dòng)態(tài)平(píng)衡(héng)時，靶(bǎ)處於(yú)負的(dí)偏(piān)置(zhì)電(diàn)位，從而(ér)使正(zhèng)離(lí)子(zǐ)對靶的(dí)濺射持續(xù)進行。采用磁控(kòng)濺(jiàn)射可(kě)使沉積速率(shuài)比非磁控(kòng)濺射提高近一個數量(liáng)級(jí)。