在真(zhēn)空(kōng)中製(zhì)備膜層，包括鍍(dù)製(zhì)晶(jīng)態(tài)的金(jīn)屬(shǔ)，半導(dǎo)體，絕(jué)緣體(tǐ)等單(dān)質或化(huà)合物膜。雖(suī)然化(huà)學汽(qì)相(xiāng)沉積也采用(yòng)減(jiǎn)壓(yā)，低(dī)壓或等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)等真空手段，但一(yī)般真(zhēn)空鍍膜(mó)是指(zhǐ)用物理的方(fāng)法(fǎ)沉積(jī)薄(báo)膜(mó)。真(zhēn)空鍍(dù)膜(mó)有(yǒu)三(sān)種(zhǒng)形式(shì)，即蒸發鍍膜，濺射(shè)鍍膜和離子(zǐ)鍍。

真(zhēn)空(kōng)鍍(dù)膜技術初現(xiàn)於(yú)20世(shì)紀30年(nián)代(dài)，四(sì)五(wǔ)十(shí)年代(dài)開(kāi)始(shǐ)出現工業應(yīng)用(yòng)，工(gōng)業化大(dà)規(guī)模(mó)生產開始於20世紀80年代(dài)，在電子，宇航(háng)，包(bāo)裝，裝潢(huáng)，燙(tàng)金(jīn)印刷等工(gōng)業(yè)中(zhōng)取得(dé)廣泛的應(yīng)用(yòng)。真空鍍膜是(shì)指(zhǐ)在(zài)真空環(huán)境(jìng)下，將(jiāng)某種(zhǒng)金(jīn)屬(shǔ)或金屬化合物以氣相的形(xíng)式沉積(jī)到材料表(biǎo)麵（通常(cháng)是非金屬材(cái)料），屬於(yú)物理氣(qì)相(xiāng)沉積工藝。因(yīn)為鍍(dù)層常為(wéi)金屬薄膜，故也稱(chēng)真(zhēn)空金(jīn)屬(shǔ)化。廣(guǎng)義(yì)的真(zhēn)空(kōng)鍍膜還(huán)包括(kuò)在金(jīn)屬或非金屬材料表麵真(zhēn)空蒸鍍聚(jù)合物等非金(jīn)屬(shǔ)功(gōng)能(néng)性(xìng)薄膜。在所有被(bèi)鍍(dù)材(cái)料中，以塑(sù)料(liào)zui為(wéi)常見(jiàn)，其次(cì)，為紙張鍍膜(mó)。

戈勒(lè)除(chú)塵(chén)設備降低真(zhēn)空鍍(dù)膜PVD鍍膜生產成(chéng)本，廣(guǎng)泛(fàn)應(yīng)用於產(chǎn)品(pǐn)鍍(dù)膜，PCB電子，吸(xī)塑(sù)托盤，背(bèi)光膜，汽車車燈，汽(qì)車飾件，噴塗前處理，電子元(yuán)器件，模(mó)具(jù)加(jiā)工(gōng)，紙(zhǐ)張印刷(shuā)，注(zhù)塑(sù)模具等製(zhì)造業(yè)領域。

  戈勒除塵設(shè)備降低(dī)真(zhēn)空鍍膜(mó)PVD鍍(dù)膜生(shēng)產成本(běn)是物(wù)理(lǐ)非接觸(chù)除塵除靜(jìng)電(diàn)的一種方式(shì)，是(shì)現(xiàn)有(yǒu)的(dí)離子(zǐ)風(fēng)機，等(děng)*的(dí)。360度**清潔。

  在(zài)某些場合還要(yào)優於基於化(huà)學溶劑(jì)的清(qīng)洗清潔方(fāng)式(shì)，例(lì)如，超聲(shēng)波清洗(xǐ)等。

 戈勒：節(jié)省人(rén)力物(wù)力；降(jiàng)低(dī)生(shēng)產(chǎn)成(chéng)本(běn)；提(tí)高(gāo)產品質量；增加生(shēng)產(chǎn)效率(shuài)；解(jiě)決(jué)生(shēng)產清(qīng)潔(jié)難題，戈(gē)勒自動(dòng)化清潔除(chú)塵係(xì)統(tǒng)一(yī)種高(gāo)效(xiào)的自動除塵(chén)清潔(jié)解決(jué)方案。已成功為APPLE，富士康，海拉，TCL，索菲(fēi)瑪，赫比等(děng)企業提(tí)供(gōng)滿意(yì)的自(zì)動化清潔(jié)除塵(chén)解(jiě)決方(fāng)案(àn)。

通過加(jiā)熱(rè)蒸發某(mǒu)種(zhǒng)物(wù)質(zhì)使其沉(chén)積在固體表麵(miàn)，稱為(wéi)蒸發鍍膜(mó)。這(zhè)種(zhǒng)方法zui早由(yóu)M.法(fǎ)拉(lā)第(dì)於1857年(nián)提出(chū)，現代(dài)已成為常用鍍(dù)膜(mó)技(jì)術(shù)之一(yī)。蒸(zhēng)發鍍膜(mó)設備結(jié)構如圖1。

蒸發(fā)物質(zhì)如金屬，化合物等置(zhì)於坩堝內或掛(guà)在熱絲上作(zuò)為蒸(zhēng)發源，待鍍工(gōng)件，如金(jīn)屬，陶(táo)瓷，塑(sù)料等基片(piàn)置於坩(gān)堝(guō)前方。待係統抽(chōu)至高真空後，加熱(rè)坩堝使(shǐ)其中的物質(zhì)蒸(zhēng)發(fā)。蒸發物(wù)質的原(yuán)子(zǐ)或分子以(yǐ)冷凝(níng)方(fāng)式(shì)沉積在(zài)基(jī)片表麵(miàn)。薄膜厚度可由(yóu)數百埃至(zhì)數(shù)微(wēi)米(mǐ)。膜厚決定於(yú)蒸發(fā)源的蒸(zhēng)發速率和時間（或決(jué)定於(yú)裝(zhuāng)料量），並與(yǔ)源(yuán)和(hé)基片的(dí)距離(lí)有(yǒu)關。對於大(dà)麵積(jī)鍍(dù)膜(mó)，常(cháng)采(cǎi)用旋轉基片(piàn)或多(duō)蒸發源(yuán)的(dí)方式(shì)以(yǐ)保(bǎo)證膜層厚度的(dí)均匀性。從蒸發(fā)源(yuán)到基片的距離(lí)應(yīng)小於(yú)蒸氣分(fēn)子在(zài)殘餘氣體中(zhōng)的(dí)平均自由(yóu)程，以(yǐ)免蒸氣分子與(yǔ)殘氣分子碰(pèng)撞引起化(huà)學(xué)作(zuò)用(yòng)。蒸(zhēng)氣分子(zǐ)平均(jūn)動(dòng)能約(yuē)為0.1～0.2電子伏。

用(yòng)高能(néng)粒子(zǐ)轟擊固體表麵時(shí)能使固(gù)體(tǐ)表(biǎo)麵(miàn)的(dí)粒子獲得(dé)能(néng)量並逸(yì)出表(biǎo)麵，沉(chén)積在基片上(shàng)。濺射(shè)現象於(yú)1870年(nián)開(kāi)始(shǐ)用(yòng)於鍍膜(mó)技術，1930年以後(hòu)由(yóu)於提(tí)高(gāo)了(liǎo)沉積(jī)速(sù)率而逐(zhú)漸(jiàn)用於(yú)工業生(shēng)產。常用的二極濺射設備如圖(tú)3[ 二(èr)

極(jí)濺射示意圖(tú)]。通常(cháng)將(jiāng)欲沉(chén)積(jī)的材(cái)料(liào)製成(chéng)板材(cái)──靶(bǎ),固(gù)定(dìng)在(zài)陰極(jí)上。基片置(zhì)於(yú)正(zhèng)對靶麵(miàn)的陽極(jí)上,距靶幾(jī)厘(lí)米(mǐ)。係(xì)統抽至高真空後充(chōng)入(rù) 10～1帕(pà)的氣體（通(tōng)常為(wéi)氬氣(qì)），在陰極(jí)和陽極間加幾千(qiān)伏電(diàn)壓(yā)，兩極(jí)間即產(chǎn)生輝(huī)光(guāng)放電。放電(diàn)產(chǎn)生(shēng)的(dí)正離(lí)子在(zài)電(diàn)場(cháng)作(zuò)用下飛(fēi)向陰極，與(yǔ)靶(bǎ)表麵(miàn)原(yuán)子(zǐ)碰撞，受碰(pèng)撞(zhuàng)從(cóng)靶(bǎ)麵(miàn)逸出(chū)的(dí)靶原子稱為濺射(shè)原(yuán)子,其(qí)能量(liáng)在(zài)1至幾十(shí)電子伏範(fàn)圍(wéi)。濺(jiàn)射(shè)原子在(zài)基(jī)片(piàn)表麵沉(chén)積(jī)成膜。與蒸(zhēng)發鍍膜(mó)不(bù)同(tóng)，濺(jiàn)射鍍膜不受(shòu)膜(mó)材熔(róng)點(diǎn)的(dí)限製,可(kě)濺射W，Ta，C，Mo，WC，TiC等(děng)難熔(róng)物(wù)質(zhì)。濺射(shè)化合物(wù)膜可(kě)用(yòng)反應濺(jiàn)射(shè)法(fǎ)，即將反應(yīng)氣體 (O，N，HS，CH等)加(jiā)入(rù)Ar氣中,反應氣體及其(qí)離子(zǐ)與靶原(yuán)子或(huò)濺(jiàn)射原子發(fā)生反(fǎn)應(yīng)生(shēng)成(chéng)化(huà)合物（如(rú)氧化物，氮(dàn)化物(wù)等(děng)）而(ér)沉積在基片上。沉積(jī)絕(jué)緣膜(mó)可(kě)采(cǎi)用(yòng)高(gāo)頻濺射法。基片裝在接(jiē)地(dì)的電(diàn)極上(shàng)，絕緣靶裝(zhuāng)在對麵的(dí)電(diàn)極上。高頻(pín)電源一(yī)端(duān)接地，一(yī)端(duān)通過匹配(pèi)網(wǎng)絡和隔直流電(diàn)容接到(dào)裝(zhuāng)有(yǒu)絕(jué)緣(yuán)靶的(dí)電(diàn)極(jí)上(shàng)。接通(tōng)高頻電(diàn)源(yuán)後，高(gāo)頻(pín)電(diàn)壓(yā)不(bù)斷(duàn)改變(biàn)極性(xìng)。等離子體中(zhōng)的電子(zǐ)和(hé)正離(lí)子在電(diàn)壓(yā)的正半周(zhōu)和(hé)負半周分(fēn)別打(dǎ)到絕緣(yuán)靶上(shàng)。由(yóu)於(yú)電(diàn)子(zǐ)遷移率高於正(zhèng)離子(zǐ)，絕(jué)緣靶表(biǎo)麵(miàn)帶負(fù)電(diàn)，在(zài)達到(dào)動(dòng)態平衡時，靶(bǎ)處於(yú)負(fù)的偏置電位(wèi)，從而(ér)使正離子對(duì)靶的濺射持續進(jìn)行。采(cǎi)用磁(cí)控濺(jiàn)射(shè)可使沉(chén)積速(sù)率比非磁控濺(jiàn)射提(tí)高近一個數量級。

一種(zhǒng)由物理方法產生薄膜(mó)材料(liào)的技(jì)術。在真(zhēn)空(kōng)室內(nèi)材(cái)料(liào)的(dí)原子(zǐ)從加熱源(yuán)離(lí)析出來打(dǎ)到(dào)被鍍物體(tǐ)的表麵(miàn)上。此項(xiàng)技(jì)術zui先(xiān)用於生產光學(xué)鏡片，如航(háng)海望遠鏡(jìng)鏡片等。後(hòu)延伸到(dào)其他功能薄膜(mó)，唱片(piàn)鍍鋁(lǚ)，裝(zhuāng)飾鍍膜和材料表麵改(gǎi)性等。如手(shǒu)表(biǎo)外(wài)殼鍍仿金色(sè)，機(jī)械刀具(jù)鍍膜(mó)，改(gǎi)變(biàn)加(jiā)工紅(hóng)硬(yìng)性(xìng)。

在真空中製備(bèi)膜層(céng)，包(bāo)括(kuò)鍍(dù)製晶(jīng)態(tài)的金(jīn)屬(shǔ)，半導(dǎo)體，絕緣(yuán)體等(děng)單(dān)質(zhì)或(huò)化(huà)合(hé)物膜(mó)。雖然(rán)化學(xué)汽相沉積也采(cǎi)用減壓(yā)，低壓或(huò)等(děng)離子體等真空手段，但(dàn)一般真空鍍(dù)膜(mó)是指用物理(lǐ)的方法沉積(jī)薄(báo)膜。真(zhēn)空(kōng)鍍膜(mó)有三種形(xíng)式，即蒸(zhēng)發(fā)鍍膜，濺(jiàn)射鍍(dù)膜和離子(zǐ)鍍(dù)。

真空鍍膜(mó)技術(shù)初現(xiàn)於20世(shì)紀(jì)30年(nián)代，四五十(shí)年(nián)代開始(shǐ)出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業化大(dà)規模(mó)生產(chǎn)開始於20世(shì)紀80年代(dài)，在電(diàn)子(zǐ)，宇(yǔ)航，包(bāo)裝(zhuāng)，裝(zhuāng)潢，燙金(jīn)印刷(shuā)等(děng)工業中(zhōng)取得(dé)廣泛(fàn)的應用。真空鍍膜是指(zhǐ)在(zài)真空(kōng)環(huán)境下，將(jiāng)某(mǒu)種金屬或(huò)金屬化(huà)合(hé)物(wù)以(yǐ)氣相的形(xíng)式(shì)沉積到材料表(biǎo)麵（通常(cháng)是非金(jīn)屬(shǔ)材料），屬(shǔ)於物(wù)理氣(qì)相沉積(jī)工藝。因(yīn)為鍍層常為(wéi)金屬薄膜(mó)，故也(yě)稱真(zhēn)空(kōng)金(jīn)屬(shǔ)化。廣義的(dí)真(zhēn)空鍍膜還(huán)包括在(zài)金(jīn)屬或(huò)非(fēi)金屬材料(liào)表(biǎo)麵真空蒸鍍聚合(hé)物等非金(jīn)屬功能性(xìng)薄膜(mó)。在所(suǒ)有(yǒu)被(bèi)鍍(dù)材(cái)料中(zhōng)，以(yǐ)塑料zui為(wéi)常見(jiàn)，其次，為(wéi)紙(zhǐ)張(zhāng)鍍(dù)膜。

戈勒自(zì)動化(huà)清潔(jié)除塵(chén)，廣(guǎng)泛應用於(yú)產品鍍(dù)膜，PCB電子，吸(xī)塑(sù)托(tuō)盤(pán)，背光膜，汽(qì)車(chē)車燈，汽(qì)車飾件(jiàn)，噴(pēn)塗前處理(lǐ)，電(diàn)子元器件，模具加(jiā)工(gōng)，紙張(zhāng)印刷，注塑模(mó)具等(děng)製造(zào)業(yè)領域。

  戈勒(lè)自(zì)動(dòng)化(huà)清(qīng)潔除(chú)塵係統是物(wù)理非接(jiē)觸(chù)除塵除靜電的(dí)一(yī)種(zhǒng)方(fāng)式，是現有的離子(zǐ)風機(jī)，等*的。360度(dù)**清(qīng)潔(jié)。

  在某些場合(hé)還要優於基(jī)於化(huà)學溶劑的清(qīng)洗清(qīng)潔方式，例(lì)如(rú)，超(chāo)聲(shēng)波清洗等。

 戈勒自動化清潔除(chú)塵係(xì)統：節(jié)省(shěng)人力物(wù)力；降低生(shēng)產成本；提(tí)高產品質量；增(zēng)加生產效率(shuài)；解決(jué)生產清潔難題，戈勒自動(dòng)化清(qīng)潔除塵(chén)係(xì)統(tǒng)一種高效(xiào)的自動除塵(chén)清潔解決(jué)方案(àn)。已成功(gōng)為APPLE，富(fù)士(shì)康，海拉，TCL，索(suǒ)菲(fēi)瑪，赫(hè)比(bǐ)等企(qǐ)業提供(gōng)滿(mǎn)意(yì)的(dí)自動化清潔(jié)除(chú)塵(chén)解決方案(àn)。

通過加(jiā)熱蒸發(fā)某種(zhǒng)物(wù)質(zhì)使其(qí)沉積(jī)在固體表麵(miàn)，稱為(wéi)蒸發(fā)鍍膜(mó)。這種方法(fǎ)zui早由M.法(fǎ)拉(lā)第於(yú)1857年提(tí)出(chū)，現代已成為常用(yòng)鍍膜技術(shù)之(zhī)一。蒸發(fā)鍍(dù)膜(mó)設備(bèi)結構如(rú)圖(tú)1。

蒸發物質(zhì)如(rú)金屬，化(huà)合物等(děng)置於坩堝內(nèi)或(huò)掛(guà)在熱絲(sī)上作為(wéi)蒸發源，待(dài)鍍工(gōng)件，如(rú)金(jīn)屬，陶瓷，塑料等基片置於坩(gān)堝(guō)前(qián)方。待係統抽(chōu)至高真空後，加(jiā)熱(rè)坩堝使其中的(dí)物質蒸(zhēng)發。蒸(zhēng)發(fā)物質(zhì)的(dí)原子(zǐ)或分(fēn)子以(yǐ)冷(lěng)凝方式沉(chén)積(jī)在基(jī)片(piàn)表麵(miàn)。薄膜厚(hòu)度可由(yóu)數(shù)百(bǎi)埃(āi)至數(shù)微(wēi)米。膜厚決定於蒸發源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或決定(dìng)於(yú)裝料量），並(bìng)與源和(hé)基片(piàn)的距離有(yǒu)關。對於大麵積(jī)鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基(jī)片或多(duō)蒸(zhēng)發(fā)源(yuán)的方式以保證(zhèng)膜層厚度的均匀(yún)性。從蒸發(fā)源到(dào)基片的距離應小於(yú)蒸氣分子在(zài)殘餘氣體中的平(píng)均自由(yóu)程，以(yǐ)免蒸(zhēng)氣(qì)分子與(yǔ)殘氣分子碰撞(zhuàng)引起化學作(zuò)用。蒸氣分(fēn)子平均(jūn)動能約為0.1～0.2電(diàn)子(zǐ)伏。

用(yòng)高能粒(lì)子轟擊(jī)固體表(biǎo)麵時能使固體表麵(miàn)的(dí)粒(lì)子獲得能(néng)量並逸(yì)出(chū)表麵，沉積(jī)在基(jī)片上(shàng)。濺射現象(xiàng)於1870年(nián)開始用(yòng)於鍍膜技術，1930年以(yǐ)後由(yóu)於提(tí)高(gāo)了(liǎo)沉(chén)積(jī)速率而逐漸用於(yú)工業(yè)生產。常用(yòng)的二極濺射設備如(rú)圖3[ 二

極(jí)濺射示(shì)意圖]。通(tōng)常將欲(yù)沉(chén)積(jī)的材(cái)料製(zhì)成(chéng)板材──靶,固(gù)定在陰極(jí)上。基(jī)片(piàn)置(zhì)於正(zhèng)對(duì)靶麵的(dí)陽極(jí)上,距靶(bǎ)幾(jī)厘米。係(xì)統(tǒng)抽至(zhì)高真空後充入(rù) 10～1帕的氣(qì)體（通常為(wéi)氬(yà)氣），在陰極和陽(yáng)極(jí)間(jiān)加(jiā)幾千伏(fú)電壓，兩(liǎng)極間(jiān)即(jí)產生(shēng)輝(huī)光放電。放電產生(shēng)的(dí)正離(lí)子(zǐ)在電場(cháng)作用下(xià)飛向陰(yīn)極(jí)，與(yǔ)靶表麵原子(zǐ)碰(pèng)撞(zhuàng)，受碰撞從靶(bǎ)麵逸出的靶(bǎ)原子稱為濺射原子,其能量在(zài)1至(zhì)幾十(shí)電子伏(fú)範(fàn)圍(wéi)。濺(jiàn)射原子在基(jī)片表麵沉(chén)積成膜(mó)。與蒸發(fā)鍍(dù)膜不(bù)同(tóng)，濺(jiàn)射鍍膜不(bù)受膜材熔點的(dí)限製,可(kě)濺射W，Ta，C，Mo，WC，TiC等(děng)難熔物質。濺射化合物膜可(kě)用(yòng)反應濺射(shè)法，即將(jiāng)反應氣(qì)體 (O，N，HS，CH等)加入(rù)Ar氣(qì)中,反(fǎn)應氣(qì)體及其(qí)離子與靶原(yuán)子(zǐ)或(huò)濺(jiàn)射(shè)原子(zǐ)發生反應生(shēng)成化合(hé)物(wù)（如(rú)氧(yǎng)化物(wù)，氮化物(wù)等）而沉積在基片(piàn)上。沉積(jī)絕(jué)緣(yuán)膜可采用高頻濺射法(fǎ)。基(jī)片(piàn)裝在接(jiē)地的電(diàn)極上(shàng)，絕緣靶(bǎ)裝在對麵的電極(jí)上。高頻電源一端(duān)接地(dì)，一端通(tōng)過匹配網絡和隔(gé)直流(liú)電容接(jiē)到(dào)裝(zhuāng)有絕(jué)緣靶的(dí)電極上。接(jiē)通(tōng)高(gāo)頻(pín)電源(yuán)後，高頻(pín)電壓不(bù)斷(duàn)改變(biàn)極(jí)性。等(děng)離子(zǐ)體中(zhōng)的(dí)電子(zǐ)和正(zhèng)離子在(zài)電壓(yā)的(dí)正(zhèng)半周(zhōu)和(hé)負(fù)半周分別打(dǎ)到(dào)絕(jué)緣靶上。由(yóu)於(yú)電(diàn)子遷移率高(gāo)於(yú)正離(lí)子，絕緣靶表麵(miàn)帶(dài)負電，在達到(dào)動態平(píng)衡時，靶處(chǔ)於(yú)負的偏(piān)置電(diàn)位，從而使正離子對(duì)靶的濺射持續進行。采(cǎi)用(yòng)磁控濺射(shè)可使沉積速率(shuài)比非(fēi)磁控(kòng)濺射提(tí)高(gāo)近一(yī)個(gè)數量級(jí)。